第84章 现在就拆给你看！

光刻作为芯片制造流程中最关键的环节，其基本原理其实很简单，就是用光，来完成对硅片的雕刻。

光刻中的硅片，就像是挂在墙上的投影布，而光刻机则是投影仪，

如果投影布表面不平整，出现起伏，那投影的画面自然就会扭曲变形。

在光刻中，硅片的表面瑕疵，则会导致投影上去的电路设计路变形，从而导致良率降低，甚至整张晶圆报废。

所以想要得到一张能用来制造芯片的硅片，则需要把切割后的单晶硅片进行抛光打磨，直至它的表面平整度低于1.5nm rms。

这相当于在电影院挂上一块大幕布，它的表面起伏不能超过一根头发丝大小，无限接近于完美的镜面。

因此，这对硅片制造抛光工艺要求，自然就显得极其重要了。

从圆珠笔头上的小钢珠，到芯片的原材料硅片，再到光刻机上的镜片，最后甚至是科幻小说三体中表面完美无暇的水滴……

其实考验一个文明工业水平高度的，就是看你能把一个物品造得有多精细。

而造精细的东西，自然就需要空气干净的洁净室，不然空气中全是灰尘细菌，再怎么打磨造不出合格的硅片。

“其实这些年我们通过仿制岛国的设备，已经可以达到2.6nm rms的平整度了，但无论我们再怎么检查，哪怕每一个零件都已经达标了，但依然没办法继续突破……”

严辉穿一边穿着防护服，一边向康驰介绍着他们的研究进度。

“抛到2.6nm rms用的是什么抛光液？”

“以sio2为基础，加入0-70wt%的双氧水，最后用koh调节ph到8.5。”

康驰点了点头：“先看看再说吧。”

两人穿好防护服后，很快就来到了抛光实验室，然后由严辉主持，向康驰演示了一次抛光实验。

在传统的硅片抛光打磨中，通常会先用机械抛光机，对硅片进行初步打磨，再清洗，最后进行化学机械抛光，也称为精磨。

精磨是一种利用抛光液的化学腐蚀功能，配合机械转盘的机械打磨，两者互相配合来达到硅片的工艺标准。

实验的结果是3.1nm rms，比他们能做的极限还差不少。

康驰沉思了片刻，然后说道：“换成30wt%al2o3基液，加65wt%高锰酸钾作为化学抛光液，用5wt%hno3调成8.0的ph值再试一遍。”

严辉点了点头，带着研究员们调配好抛光液，然后重新进行了一次实验。

“平整度5.9nm rms。”

看到这个结果，原本还有点小期待的严辉，不由露出一抹失望的神色。

但康驰却依然不为所动，又报出了一组抛光液配比，让他们重新进行

“平整度5.9nm rms。”

5.9？

还是5.9？！

是巧合吗？

虽然5.9显然是远远不达标的，但严辉却似乎意识到了什么，有些惊讶地转头看向康驰。

“你……计算好的？”

“算是吧。”

康驰点了点头。

这下严辉彻底呆住了，

要知道，化学机械抛光的技术难点，除了抛光设备的硬件要达标之外，还要根据设备性能、硅片参数，来调配化学抛光液，以达到化学抛光和机械抛光的完美配合。

要想调试得好，首先就需要对设备了如指掌，其次这是丰富的抛光液调配经验。

但康驰仅仅只是通过一次实验演示，就能看似轻松地报出两组不同成分的抛光液，并在后续的实验中，达到同一数值的平整度……

这多少有点匪夷所思了吧？

哪怕是已经参与过无数次测试的严辉，在没有经过计算机模拟的情况下，也绝对做不到如此精准的控制，

估计误差至少得有个0.3nm rms。

他有些难以置信地问道：“你到底是怎么做到的？”

“嗯，我也说不上来……可能是某种直觉吧，我这人对机械的东西，敏感度还挺高的。”

康驰思索了片刻，又接着说道，

“我估计伱这台抛光机，能稳定发挥的正常水平，应该就是3.0nm rms左右，2.6nm rms只是你们因为偶然因素才意外达到的，肯定不会超过三次。”

严辉再次愣了愣，显然是被康驰猜中了。

“确实，只有一次……”

康驰本来还想说点什么，结果肚子都已经饿得咕咕叫了，

看了看时间，发现三轮实验过后，竟然已经不知不觉都到了晚上八点。

“不好意思，一个没注意都这这么晚了……大家赶紧收拾收拾，先去吃饭吧，今天辛苦你们了。