第141章 思路放开,想干就干

1987年10月12日，101所芯能光刻机厂迎来了三名特别的客人。

左洋，顾仁达，丁邦开，三名在德州仪器芯片加工厂工作的湾岛人。

东升船业付了钱，他们三个人只需要在这里呆一个月。

赵国庆亲自接待了他们，还有何振华教授，卢怡榕总师，王丽嘉，刘成敏，吕金超，水泉祥几个芯能光科机厂的骨干。

小赵老师期待值很高，特别是听到左洋说德州仪器，已经攻克八百纳米制造工艺时。

“德州仪器用的是什么型号的光刻机？用的什么光源？”

左洋说：“用的是尼康nsr-120步进式扫描光刻机，光源还是用的高压汞灯的i线，asml生产pa2000厂里也有两台，德州仪器去年还买了两台gca公司的激光扫描光刻机，可以很轻松的实现800纳米制程！”

激光这个词让赵国庆很是敏感，他问道：“用的什么激光？”

丁邦开摇摇头说：“我们只是教你们使用pa2000光刻机的，其他的，抱歉！”

好吧，那就是钱没给够，一人加了两万美元，赶上他们好几个月的收入，自然畅所欲言了。

左洋说：“246纳米的紫光激光机，至于是什么样的激光器，就不知道了，反正用这台光刻机，我们掩膜版缝距可以缩小一倍。”

光电雷达总师卢怡榕总师对赵国庆说：“赵所长，他们的激光器应该是用的氟化氪准分子激光器，我们所现在就在研究，只不过目前的技术，发射的激光功率还不够！”

激光产生的条件，需要形成粒子数反转。那么当粒子数反转超过一定值后，就会形成振荡，产生激光。

当激光发射以后，上能级粒子数就消耗掉了，所以振荡就停止了，直到下一次粒子数累积后再反转。这也就是为什么普通激光器峰值功率不能提高的原因。

怎么提高激光的功率，他脑子里的方法可不止一种，调q技术，锁模技术，光学参量放大技术。

本来想绕过氟化氪紫外激光，还有氟化氩深紫外线准分子激光，直接上x光光源的。

小赵老师发现自己想多了，全世界在光源这一块最强的美利坚，他们也没办法制造一台asml深紫外光刻机，若是想要商用话，需要多方面的突破，紧紧依靠光源肯定解决不了。

而且x光光源需要的技术难度也不小，开发技术上更成熟的深紫外激光器，还是有必要的。

看来这些技术路线还是要走一遍。

赵国庆对卢怡榕说：“紫外线、深紫外线激光光源下一步将是101所重点项目，还要加入极紫外光项目的研究！”

卢怡榕笑了，能被101所升级到重点项目的，无论资金还是人员将受到极大的倾斜，不过？

卢怡榕问道：“赵所长，极紫外线激光是怎么分类的，我怎么没听说过？”

赵国庆说：“不一定是激光，波长13.5纳米的光源，仅次于x光的光源！”

“……”

小赵老师摇摇头，极紫外线光源技术保密程度极高，能查到的就是用二氧化碳激光机射击一个小小的锡球，辐射出13.5纳米的深紫外线，而且光线还是分散的，需要凹面镜来反射，怎么看都像是老美给出的技术陷阱。

肯定有别的办法……

湾岛人的职务都不高，好在都是一线的。

小赵老师试探来试探去，他们对制程这块确实没太多研究，每天的工作也是公式化的，不过有个好处是，可以带来规范的车间管理。

再问道芯片晶体管结构，小赵老师明悟了。

想了想也难怪，现在i线386纳米光源还没利用到极限，intel目前量产的386处理器还用的1.5微米的制程，但386纳米光源的极限制程在600到800纳米之间。

主要芯片加工厂在制程上，最需要解决的是合适的半导体结构，多是在晶体管物理层面上探索，使之更加适用于光刻而保证良品率。

比如现在德州仪器所用的深沟槽，基底离子注入衬垫来解决800纳米制程带来的晶体管漏电问题，实际上也就是对本身的pn结构一种改良，并没有涉及到效应晶体管结构的革命，而finfet鳍片式场效应晶体管才是突破。

而制程一直到65纳米之后，光刻机光源才开始制约芯片制程的提高，到那个时候，人们才开始研究，如何突破现有波长的光源理论制程的极限。

多重曝光技术也就是从那个时候开始的。

小赵老师想明白这件事，心下对101所芯片制程的发展思路一下子放开了。

finfet场效应晶体管芯片他研究的够深入了，可以直接拿来上800纳米制程，计划三年内进入商用化。

同时在多重曝光技术上加大投入，六年内，300纳米制程商用化。